10月31日、株式会社安川電機は、世界で初めてGaN（窒化ガリウム）パワー半導体モジュールを搭載した次世代パワーコンディショナを開発し、当社現製品との設置面積比2分の1の小形化と、業界最高レベルの変換効率98%以上を達成したと発表しました。
■安川電機株式会社：
「世界初のGaN搭載パワーコンディショナを開発− 設置面積2分の1で、効率98％以上を達成 −」
安川電機では、2010年の太陽光発電用パワーコンディショナPV1000の販売開始を皮切りに、同社が得意とする電力変換技術をベースとした電気エネルギー活用技術・活用製品の開発を進めてきました。
今回の製品は、高速スイッチング、かつ低損失動作が可能なGaNパワー半導体モジュールを米国Transphorm, Inc.と共同で開発し、同社が長年培ってきたドライブシステムの回路や構造の技術、そして新たに開発した制御技術を組み合わせることで大幅な効率向上と小形化を実現したとのことです。
- 電力仕様：DC250V入力／AC200V出力，定格容量4.5kW
- 設置面積：当社現製品の２分の１（体積 約10L）
- 変換効率：最大98.2%、定格時97.5%
安川電機によれば製品化は今後2年以内に目指すとのことですが、またとても楽しみな製品が出てきました。
パワーコンディショナは太陽光発電システム全体としての発電効率を向上させる上で重要な鍵を握っていますが、従来品の変換効率は95%前後でした。
今回安川電機が開発したパワーコンディショナでは変換効率98%以上を達成したとのことで、業界最高レベルの変換効率を誇っています。
製品価格なども気になるところですが、早期の製品化に期待したいですね。
